OEM Номер
EAN
5704174237143
Восстановленный товар (Refurbished)
К сожалению, товара нет в наличии.
Ориентировочная цена
28 069 ₴
Повысьте производительность вашего ПК на новый уровень.
Вам нужен правильный эксперт для правильного решения памяти для ПК.
Samsung является лидером на рынке DRAM, а нашу DRAM выбирают большинство OEM-производителей на протяжении многих лет.
Воспользуйтесь новейшей памятью Samsung DDR4, чтобы вывести свой компьютер на новое измерение высокой скорости и низкого энергопотребления.
Улучшенная пропускная способность для высокопроизводительных устройств приложения.
Поскольку компьютерные приложения становятся все более важными и сложными, к персональным компьютерам предъявляются самые жесткие требования. Сегодня ПК должны обеспечивать исключительную скорость для достижения необходимой производительности.
Samsung 2xnm DDR4 UDIMM и SODIMM обеспечивают начальную пропускную способность 2400 Мбит/с, которая может достигать заданных JEDEC 3200 Мбит/с. Пропускная способность DDR4 в 2 раза выше, чем у DDR3.
Полная многозадачность с меньшими затратами энергии.
Потребители хотят иметь возможность рассчитывать на отличную мощность аккумулятора для выполнения своих задач. DRAM для ПК Samsung обеспечивает более длительное время отключения от сети за счет более низкого энергопотребления. Это обеспечивает продление срока службы батареи ноутбуков при сохранении высокой производительности.
Samsung DDR4 SODIMM и UDIMM потребляют меньше энергии благодаря своей уникальной технологии 2xnm. 2xnm DDR4 от Samsung, работающий при напряжении 1,2 В, обеспечивает примерно на 26 % более высокую производительность на ватт по сравнению с 2xnm DDR3, работающим при напряжении 1,5 В.
Samsung также предлагает 2xnm LPDDR4, работающий при напряжении 1,1 В, что обеспечивает увеличение энергоэффективности на 37 % по сравнению с 2xnm LPDDR3, работающим при напряжении 1,2 В.
Удвойте эффективность емкость с первыми в мире чипами емкостью 8 Гб.
Повышение плотности позволило Samsung предложить DRAM большей емкости, обеспечивая более высокую скорость передачи данных, необходимую сегодня устройствам. ПК могут получить выгоду от DRAM высокой плотности за счет использования меньшего количества компонентов DRAM, что приводит к экономии места.
Samsung DDR4 UDIMM может достичь максимальной емкости 128 ГБ с использованием первых в мире чипов емкостью 8 ГБ, что в 2 раза больше, чем у DDR3 64 ГБ, изготовленных из чипов емкостью 4 ГБ.
Вам нужен правильный эксперт для правильного решения памяти для ПК.
Samsung является лидером на рынке DRAM, а нашу DRAM выбирают большинство OEM-производителей на протяжении многих лет.
Воспользуйтесь новейшей памятью Samsung DDR4, чтобы вывести свой компьютер на новое измерение высокой скорости и низкого энергопотребления.
Улучшенная пропускная способность для высокопроизводительных устройств приложения.
Поскольку компьютерные приложения становятся все более важными и сложными, к персональным компьютерам предъявляются самые жесткие требования. Сегодня ПК должны обеспечивать исключительную скорость для достижения необходимой производительности.
Samsung 2xnm DDR4 UDIMM и SODIMM обеспечивают начальную пропускную способность 2400 Мбит/с, которая может достигать заданных JEDEC 3200 Мбит/с. Пропускная способность DDR4 в 2 раза выше, чем у DDR3.
Полная многозадачность с меньшими затратами энергии.
Потребители хотят иметь возможность рассчитывать на отличную мощность аккумулятора для выполнения своих задач. DRAM для ПК Samsung обеспечивает более длительное время отключения от сети за счет более низкого энергопотребления. Это обеспечивает продление срока службы батареи ноутбуков при сохранении высокой производительности.
Samsung DDR4 SODIMM и UDIMM потребляют меньше энергии благодаря своей уникальной технологии 2xnm. 2xnm DDR4 от Samsung, работающий при напряжении 1,2 В, обеспечивает примерно на 26 % более высокую производительность на ватт по сравнению с 2xnm DDR3, работающим при напряжении 1,5 В.
Samsung также предлагает 2xnm LPDDR4, работающий при напряжении 1,1 В, что обеспечивает увеличение энергоэффективности на 37 % по сравнению с 2xnm LPDDR3, работающим при напряжении 1,2 В.
Удвойте эффективность емкость с первыми в мире чипами емкостью 8 Гб.
Повышение плотности позволило Samsung предложить DRAM большей емкости, обеспечивая более высокую скорость передачи данных, необходимую сегодня устройствам. ПК могут получить выгоду от DRAM высокой плотности за счет использования меньшего количества компонентов DRAM, что приводит к экономии места.
Samsung DDR4 UDIMM может достичь максимальной емкости 128 ГБ с использованием первых в мире чипов емкостью 8 ГБ, что в 2 раза больше, чем у DDR3 64 ГБ, изготовленных из чипов емкостью 4 ГБ.
Рекомендованные товары
HP / MPN: A7W94-67006
128GB eMMC storage module for
13 088 ₴
Fujitsu / MPN: S26361-F4083-L116-RFB
16Gb (1X16Gb) 2Rx8 Ddr4-2933
18 767 ₴
HP / MPN: 100035596
16GB (1x16GB) Dual Rank
19 034 ₴
HP / MPN: 100102127
16GB (1x16GB) PC3L-10600 DDR3
3 089 ₴
HP / MPN: 100034115
16GB 2Rx4 PC3L-12800R-11
3 623 ₴
HPE / MPN: 726719-B21-RFB
16GB 2Rx4 PC4-2133P-R
6 644 ₴
Вы также смотрели
В каталог →
Samsung / MPN: SV6003H-RFB
60GB UDMA100 5400RPM HDD
Уточнить цену
Lenovo / MPN: 03X9055
Lenovo Keyboard TP 10 KB-Slovakian
Уточнить цену
Lenovo / MPN: 5CB1B36253
UpperCaseASM_HBW C20VE EP
Уточнить цену
Samsung / MPN: BA39-40018V
CBF-HARNESS 2P 170MM RED/WHT UL1061 AWG2
Уточнить цену
Toshiba / MPN: T000021660
TOSHIBA W/L LAN ASSY MINI
Уточнить цену
Asus / MPN: 13AI0030LA5011
ZS661KS DUAL REAR CAM PROTECT
Уточнить цену