16GB DDR4 PC4-17000 2133 ECC Samsung M393A2G40DB0-CPB-RFB

Підвищте продуктивність свого ПК до нового рівня.
Вам потрібен правильний фахівець для правильного рішення для пам’яті ПК.
Samsung є лідером на ринку DRAM, більшість OEM-виробників уже багато років обирають нашу DRAM.
Скористайтеся передовою пам’яттю Samsung DDR4, щоб вивести свій ПК у новий вимір високої швидкості та низької енергоефективності.

Покращена пропускна здатність для високого класу програми.
З тим, що програми для ПК стають все більш критичними та складними, персональні комп’ютери висувають найсуворіші вимоги. Сучасні ПК повинні забезпечувати виняткову швидкість, щоб забезпечити необхідну продуктивність.

Samsung 2xnm DDR4 UDIMM і SODIMM забезпечують початкову пропускну здатність 2400 Мбіт/с, яка може досягати 3200 Мбіт/с, визначених JEDEC. DDR4 має вдвічі вищу пропускну здатність, ніж DDR3.

Виконуйте багатозадачність із меншою енергією.
Споживачі хочуть мати можливість покладатися на чудовий заряд акумулятора для виконання своїх завдань. Samsung PC DRAM забезпечує більш тривалий час роботи без підключення завдяки меншому енергоспоживанню. Це забезпечує подовження терміну служби батареї для ноутбуків, зберігаючи високу продуктивність.

Samsung DDR4 SODIMM і UDIMM споживають менше енергії завдяки унікальній технології 2xnm. 2xnm DDR4 від Samsung, що працює при напрузі 1,2 В, забезпечує приблизно на 26% вищу продуктивність/ват порівняно з 2xnm DDR3, що працює при напрузі 1,5 В.

Samsung також пропонує 2xnm LPDDR4, що працює при напрузі 1,1 В, досягаючи на 37% підвищення енергоефективності, ніж 2xnm LPDDR3, що працює при напрузі 1,2 В.

Подвоїте свою ємність. з першими в світі мікросхемами ємністю 8 Гб.
Покращення щільності дозволило Samsung запропонувати DRAM більшої ємності, забезпечуючи вищу швидкість передачі даних, яка потрібна сьогодні для пристроїв. Комп’ютери можуть отримати вигоду від DRAM високої щільності, використовуючи менше компонентів DRAM, що веде до економії місця.

Samsung DDR4 UDIMM може досягти максимальної ємності 128 ГБ за допомогою перших у світі чіпів 8 ГБ, що вдвічі більше, ніж у DDR3 64 ГБ, виготовленого з чіпів 4 ГБ.